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報(bào)道：QLC 尚未普及 HLC 又來！寫入壽命堪憂

時(shí)間：2023-05-01 11:14:12 來源： 驅(qū)動(dòng)之家


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固態(tài)硬盤的核心元器件是什么？當(dāng)然是 NAND 顆粒了，它是固態(tài)硬盤存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的容器，也是固態(tài)硬盤中成本最高的部件，除了存儲(chǔ)容量，它還直接關(guān)系到固態(tài)硬盤的讀寫速度、寫入壽命以及價(jià)格。

從原理看，數(shù)據(jù)是以電荷的方式存儲(chǔ)在 NAND FLASH 的存儲(chǔ)單元中。如果說 NAND FLASH 是一個(gè)容器，存儲(chǔ)單元就可看做容器中的一個(gè)個(gè) " 格子 "，根據(jù)格子中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的位數(shù)不同，就有了大家熟知的 SLC、MLC、TLC、已經(jīng)在市面有銷售但未全面普及的 QLC，以及鎧俠（原東芝）剛剛開發(fā)出來的 HLC。

其實(shí)，從 SLC 到 HLC，都是為了滿足用戶大量存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的需求，其中 SLC 每個(gè)存儲(chǔ)單元可儲(chǔ)存 1bit 數(shù)據(jù)，MLC 可儲(chǔ)存 2bit 數(shù)據(jù)，TLC 可儲(chǔ)存 3bit 數(shù)據(jù)，QLC 可存儲(chǔ) 4bit 數(shù)據(jù)，PLC 可存儲(chǔ) 5bit 數(shù)據(jù)。

而鎧俠 HLC（Hepta-level）使用單晶硅取代了多晶硅作為內(nèi)部通道材料，可存儲(chǔ)數(shù)據(jù)達(dá)到了 7bits，比 QLC 幾乎翻倍。

由此可見，可見單個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的位數(shù)越高，NAND 閃存顆粒的容量就越大，PCB 上的存儲(chǔ)芯片數(shù)量也隨之減少，極大降低固態(tài)硬盤的制造成本。

而 HLC 的研制成功，則意味著即使閃存堆疊技術(shù)沒有任何改進(jìn)，固態(tài)硬盤的容量也能實(shí)現(xiàn)直接翻倍，以后千元左右的 M.2 固態(tài)硬盤容量做到了 8TB、16TB 也不是什么奇怪的事。

當(dāng)然，閃存容量的提升也是要做出一些犧牲和妥協(xié)的。首先是讀寫速度，簡(jiǎn)單來說 SLC 最快、價(jià)格最貴，但早已停售；MLC 次之，相關(guān)產(chǎn)品也基本絕跡。

目前市場(chǎng)主流產(chǎn)品為 TLC，也有部分低價(jià)產(chǎn)品采用 QLC，當(dāng)然 QLC 的緩?fù)馑俣纫呀?jīng)被人嗤之以鼻了。其次是寫入壽命，依然是 SLC 最高、MLC 其次，然后是 TLC，QLC 依然被鄙視，而 HLC 也就可想而知了。

不過我們也不用過于擔(dān)心，畢竟 QLC 都開始應(yīng)用于企業(yè)級(jí)了。為了保證 QLC 和 HLC 顆粒的性能和耐久度，將來的固態(tài)硬盤主控芯片也會(huì)帶來更先進(jìn)的損耗平衡和錯(cuò)誤校正算法，以及更大的 SLC 緩存，畢竟緩?fù)馑俣冗€不及機(jī)械硬盤，恐怕這是誰都不希望看到的。

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